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公開番号指定（例；2006-123456）
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| 公開番号; 特開2006-004970 | Publication number: P2006-004970A |
| 公開日; 2006年1月5日 | Date of publication of application: 05.01.2006 |
| 国際特許分類; H01L 21/20(2006.01) | Int.Cl.: H01L 21/20(2006.01) |
| 出願番号; 特願2004-176527 | Application number: 2004-176527 |
| 出願日; 2004年6月15日 | Date of filing: 15.06.2004 |
| 出願人; 日本電信電話株式会社 | Applicant: NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> |
発明者;  ほか | Inventor:  et al. |
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| 窒化物半導体薄膜の作製方法 | MANUFACTURING METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR FILM |
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【課題】 サファイア基板や炭化珪素基板などの窒化物半導体とは格子不整合な材料からなる基板の上に、再現性よく品質の高い窒化物半導体の結晶層が形成できるようにする。 |
PROBLEM TO BE SOLVED: To form a crystal layer of a high quality nitride semiconductor which ensures good reproducibility, on a substrate which is formed of a material mismatching with lattice from a nitride semiconductor such as a saphire substrate and silicon carbide substrate. |
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【解決手段】 まず、サファイア基板１０１の上に、例えばスパッタ法により、Ａｌ2Ｏ3層１０２、ＡｌＯxＮy層１０３、ＡｌＮ層１０４が形成された状態とする。この後、ＡｌＮ層１０４の上に、亜鉛がドープ（２×１０18ｃｍ-3）されたｐ形のＧａＮ（結晶）からなるバッファ層１０５が形成された状態とする。例えば、有機金属気相成長法によりバッファ層１０５が形成できる。 |
SOLUTION: First, the Al2O3 layer 102, AlOxNylayer 103, and AlN layer 104 are formed, for example, with the sputtering method on a sapphire substrate 101. Thereafter, a buffer layer 105 consisting of a p-type GaN (crystal) to which zinc is doped (2×1018 cm-3) is formed on the AlN layer 104. For example, the buffer layer 105 can be formed with an organic metal vapor phase growth method. |
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